STP33N60M2概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 190W（Tc） TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
立创商城:
N沟道 600V 26A
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MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin TO-220 Tube
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单 N沟道 650 V 0.125 Ω 190 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
STP33N60M2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.108 Ω
耗散功率 190 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 9.6 ns
输入电容Ciss 1781pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STP33N60M2
型号： STP33N60M2
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V