STMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
立创商城:
N沟道 100V 6A
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD6NF10T4, 6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 0.22 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STD6NF10T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 30000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD6NF10 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm STripFET™ 功率 Mosfet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD6NF10T4 MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
6A,100V,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.22 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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