STMICROELECTRONICS STP34NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 4引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-沟道 600 V 110 mOhm 法兰安装 MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP34NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 600V 29A 110mOhm TO220-3 **
力源芯城:
600V,0.097Ω,29A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB
针脚数 3
漏源极电阻 0.097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 53.4 ns
输入电容Ciss 2785pF @50VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 61.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP34NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP60R099CPA 英飞凌 | 功能相似 | STP34NM60ND和IPP60R099CPA的区别 |