STP34NM60ND

STP34NM60ND图片1
STP34NM60ND图片2
STP34NM60ND图片3
STP34NM60ND图片4
STP34NM60ND图片5
STP34NM60ND图片6
STP34NM60ND图片7
STP34NM60ND图片8
STP34NM60ND图片9
STP34NM60ND图片10
STP34NM60ND图片11
STP34NM60ND图片12
STP34NM60ND图片13
STP34NM60ND图片14
STP34NM60ND图片15
STP34NM60ND图片16
STP34NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STP34NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 4引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 600 V 110 mOhm 法兰安装 MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP34NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 600V 29A 110mOhm TO220-3 **


力源芯城:
600V,0.097Ω,29A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB


STP34NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.097 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 53.4 ns

输入电容Ciss 2785pF @50VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 61.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP34NM60ND
型号: STP34NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STP34NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP34NM60ND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP34NM60ND

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IPP60R099CPA

英飞凌

功能相似

STP34NM60ND和IPP60R099CPA的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台