STMICROELECTRONICS STF20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
立创商城:
N沟道 200V 18A
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STF20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
贸泽:
MOSFET Low charge STripFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 10 A, 0.1 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 30W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STF20NF20 MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 200V 18A 130mOhm TO220FP **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
额定电压DC 200 V
额定电流 18.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
输入电容 940 pF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 940pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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