STP6N65M2概述
STMICROELECTRONICS STP6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
N-Channel 650V 4A Tc 60W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
STP6N65M2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 226pF @100VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买STP6N65M2
型号： STP6N65M2
描述：STMICROELECTRONICS STP6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V