N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET
通孔 N 通道 600 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
贸泽:
MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh Power MOSFET
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW23NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP23NM60N 意法半导体 | 完全替代 | STW23NM60N和STP23NM60N的区别 |
STW23NM60ND 意法半导体 | 类似代替 | STW23NM60N和STW23NM60ND的区别 |
STW28N65M2 意法半导体 | 类似代替 | STW23NM60N和STW28N65M2的区别 |