N沟道55V - 0.005 ? - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET
N-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 155 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB80NF55-06-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NP90N055VDG-E1-AY 瑞萨电子 | 功能相似 | STB80NF55-06-1和NP90N055VDG-E1-AY的区别 |
IPD90N06S3-06 英飞凌 | 功能相似 | STB80NF55-06-1和IPD90N06S3-06的区别 |
IRF1010ZL 英飞凌 | 功能相似 | STB80NF55-06-1和IRF1010ZL的区别 |