STP43N60DM2

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STP43N60DM2概述

STMICROELECTRONICS  STP43N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101

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N沟道 600V 34A


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MOSFET N-CH 600V 34A TO220


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艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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POWER MOSFET


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# STMICROELECTRONICS  STP43N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-220


STP43N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 2505pF @100VVds

下降时间 10.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP43N60DM2
型号: STP43N60DM2
描述:STMICROELECTRONICS  STP43N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新

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