STW34NM60ND

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STW34NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW34NM60ND 系列 600 V 110 mOhm N 沟道 FDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,0.092Ω,29A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247


STW34NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.097 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 53.4 ns

输入电容Ciss 2785pF @50VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 61.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: STW34NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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