N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
STW34NM60ND 系列 600 V 110 mOhm N 沟道 FDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
力源芯城:
600V,0.092Ω,29A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
通道数 1
漏源极电阻 0.097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 53.4 ns
输入电容Ciss 2785pF @50VVds
额定功率Max 210 W
下降时间 61.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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