STP18N55M5

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STP18N55M5概述

STMICROELECTRONICS  STP18N55M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB


立创商城:
STP18N55M5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP18N55M5  Power MOSFET, N Channel, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB


STP18N55M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 1260pF @100VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STP18N55M5
描述:STMICROELECTRONICS  STP18N55M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
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