STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
立创商城:
STP18N55M5
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP18N55M5 Power MOSFET, N Channel, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1260pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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