STF21N65M5

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STF21N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STF21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP


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STF21N65M5


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e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 17 A, 0.15 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.7A; 30W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF21N65M5  MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V


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MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP


STF21N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 17A

输入电容Ciss 1950pF @100VVds

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STF21N65M5引脚图与封装图
STF21N65M5引脚图
STF21N65M5封装图
STF21N65M5封装焊盘图
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型号: STF21N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STF21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STF21N65M5
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