STFI8N80K5

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STFI8N80K5概述

N沟道 800V 6A

Description

These N-channel Zener-protected Power MOSFETs are designed using ST’s revolutionary avalanche-rugged very high voltage SuperMESH™ 5 technology, based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance, and ultra-low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.

• Worldwide best FOM figure of merit

• Ultra low gate charge

• 100% avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

STFI8N80K5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 450pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STFI8N80K5
型号: STFI8N80K5
描述:N沟道 800V 6A
替代型号STFI8N80K5
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ST Microelectronics 意法半导体

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