N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3
N-Channel 600V 42A Tc 300W Tc Through Hole TO-247
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MOSFET N-CH 600V 42A TO247
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
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**N-CH 600V 42A 70mOhm TO247-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 3060pF @100VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 119 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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