STMICROELECTRONICS STB35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
得捷:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
立创商城:
N沟道 600V 28A
欧时:
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贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB35N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-263
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A Tc 210W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
针脚数 3
漏源极电阻 0.094 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2400pF @100VVds
下降时间 10.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.35 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17