N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 11A
贸泽:
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
600V,0.28Ω,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
通道数 1
漏源极电阻 360 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
输入电容 790 pF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 790pF @50VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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