STF13NM60N

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STF13NM60N概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 11A


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 25W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
600V,0.28Ω,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP


STF13NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 360 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

输入电容 790 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STF13NM60N
型号: STF13NM60N
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STF13NM60N
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