STW19NM50N

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STW19NM50N概述

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW19NM50N, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 500V 14A


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW19NM50N 系列 N 沟道 550 V 0.25 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
500V,0.2Ω,14A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


STW19NM50N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW19NM50N
型号: STW19NM50N
描述:N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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