STMICROELECTRONICS STP24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
欧时:
MOSFET N-Channel 650V 17A TO220
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
600V,0.168Ω,17A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
针脚数 3
漏源极电阻 0.168 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 16.5 ns
输入电容Ciss 1400pF @50VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP24NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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