N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 800V 4.3A
得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK80Z, 4.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP5NK80Z Power MOSFET, N Channel, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 4A 1500mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220
额定电压DC 800 V
额定电流 4.30 A
额定功率 110 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 910pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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