

















N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
立创商城:
N沟道 60V 35A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD35NF06 系列 N 沟道 60 V 0.02 Ω 44.5 nC STripFET™II 功率 MosFet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD35NF06T4 MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 60 V, 24 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 60V 35A 20mOhm TO252 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD35NF06T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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