STD35NF06T4

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STD35NF06T4概述

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


立创商城:
N沟道 60V 35A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD35NF06 系列 N 沟道 60 V 0.02 Ω 44.5 nC STripFET™II 功率 MosFet - TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD35NF06T4  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 60 V, 24 mohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 60V 35A 20mOhm TO252 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK


STD35NF06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 35.0 A

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 55 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD35NF06T4引脚图与封装图
STD35NF06T4引脚图
STD35NF06T4封装图
STD35NF06T4封装焊盘图
在线购买STD35NF06T4
型号: STD35NF06T4
描述:N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD35NF06T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD35NF06T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STP55NF06

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