STMICROELECTRONICS STP18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP18NM60N, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
立创商城:
STP18NM60N
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STP18NM60N power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with mdmesh ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP18NM60N 系列 N 沟道 650 V 0.285 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP18NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,13A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
输入电容 1000 pF
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1000pF @50VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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