STP18NM60N

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STP18NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STP18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP18NM60N, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB


立创商城:
STP18NM60N


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STP18NM60N power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with mdmesh ii technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP18NM60N 系列 N 沟道 650 V 0.285 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP18NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,13A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220


STP18NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

输入电容 1000 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STP18NM60N
型号: STP18NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STP18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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