STP80NF12

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STP80NF12概述

STMICROELECTRONICS  STP80NF12  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF12, 80 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 120V 80A


贸泽:
MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220


富昌:
STP80NF12 系列 N 沟道 120 V 18 mΩ 140 nC STripFET II 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 60A; 300W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V


儒卓力:
**N-CH 120V 80A 18mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220


STP80NF12中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 120 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 120 V

漏源击穿电压 120 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 145 ns

输入电容Ciss 4300pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 115 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STP80NF12
型号: STP80NF12
描述:STMICROELECTRONICS  STP80NF12  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
替代型号STP80NF12
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