STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF12, 80 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 120V 80A
贸泽:
MOSFET N-Ch 120 Volt 80 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220
富昌:
STP80NF12 系列 N 沟道 120 V 18 mΩ 140 nC STripFET II 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 60A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 120V 80A 18mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
额定电压DC 120 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 120 V
漏源击穿电压 120 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 145 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 115 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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