STI11NM80

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STI11NM80概述

MOSFET N-Ch 800V 0.35Ω 11A MDmesh

通孔 N 通道 800 V 11A(Tc) 150W(Tc) I2PAK(TO-262)


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


STI11NM80中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI11NM80
型号: STI11NM80
描述:MOSFET N-Ch 800V 0.35Ω 11A MDmesh
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