STF16N65M2概述
N-沟道 650 V 0.36 Ω 25 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP
N-Channel 650V 11A Tc 25W Tc Through Hole TO-220FP
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STF16N65M2
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STF16N65M2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.36 Ω
耗散功率 25 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 718pF @100VVds
下降时间 11.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STF16N65M2
型号： STF16N65M2
描述：N-沟道 650 V 0.36 Ω 25 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP