STP13N95K3

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STP13N95K3概述

STMICROELECTRONICS  STP13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 950V 10A TO220


立创商城:
N沟道 950V 10A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STP13N95K3 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 190000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with supermesh 3 technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 950 V 0.85 Ohm Flange Mount SuperMESH3™ Power MOSFET - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP13N95K3  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
950V,10A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 950V 10A TO-220


STP13N95K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.68 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 950 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP13N95K3
型号: STP13N95K3
描述:STMICROELECTRONICS  STP13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V
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