STP15NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP15NM60N概述

N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 600 V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220

STP15NM60N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

额定功率Max 125 W

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP15NM60N

型号： STP15NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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替代型号STP15NM60N

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