STW58N65DM2AG概述
N沟道 650V 48A
通孔 N 通道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
立创商城:
N沟道 650V 48A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin TO-247 Tube
STW58N65DM2AG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 48A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 4100pF @100VVds
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 15.75 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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