STL23NM60ND

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STL23NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STL23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 600V 19.5A Tc 3W Ta, 150W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV


得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 19.5 A, 0.15 ohm, PowerFLAT, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 4-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 4-Pin Power Flat T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 5-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 5-Pin Power Flat T/R


力源芯城:
600V,0.175Ω,19.5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT


STL23NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 5

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 2050pF @50VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PowerFlat-4

外形尺寸

封装 PowerFlat-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STL23NM60ND
型号: STL23NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STL23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STL23NM60ND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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