




STMICROELECTRONICS STL23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 600V 19.5A Tc 3W Ta, 150W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV
得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 19.5 A, 0.15 ohm, PowerFLAT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 4-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 4-Pin Power Flat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 5-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 5-Pin Power Flat T/R
力源芯城:
600V,0.175Ω,19.5A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
通道数 1
针脚数 5
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFlat-4
封装 PowerFlat-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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