STP3NK60ZFP

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STP3NK60ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 2.4A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK60ZFP, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP


STP3NK60ZFP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 311pF @25VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP3NK60ZFP
型号: STP3NK60ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
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