STL3NM60N

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STL3NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STL3NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 600 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V 新

表面贴装型 N 通道 600 V 650mA(Ta),2.2A(Tc) 2W(Ta),22W(Tc) PowerFlat™(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT


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N沟道 600V, 1.5Ω 2.2A MDmesh II 功率MOSFET


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600V,1.5Ohm,2.2A,N沟道功率MOSFET


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STL3NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 22 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 6.2 ns

输入电容Ciss 188pF @50VVds

额定功率Max 22 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 22W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STL3NM60N
型号: STL3NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STL3NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 600 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V 新

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