















N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
立创商城:
N沟道 30V 80A
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STD150N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 30 V 2.8 mΩ Surface Mount STripFET VI Power MosFet -TO-252
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD150N3LLH6 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD150N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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