N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET⢠II Power MOSFET
N-Channel 68V 98A Tc 190W Tc Through Hole TO-220AB
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通道数 1
漏源极电阻 9.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 68 V
漏源击穿电压 68 V
连续漏极电流Ids 98A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 2550pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 75 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP80NF70 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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