
















STMICROELECTRONICS STB22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB22NM60N, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin TO-263 T/R
富昌:
STB22NM60N 系列 N 沟道 600 V 0.22 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**MOSFET 600V 220mOhm 16A TO263 **
力源芯城:
600V,16A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1300pF @50VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB22NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FCB20N60TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STB22NM60N和FCB20N60TM的区别 |
STI22NM60N 意法半导体 | 功能相似 | STB22NM60N和STI22NM60N的区别 |