STB22NM60N

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STB22NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STB22NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB22NM60N, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 16 A, 0.2 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin TO-263 T/R


富昌:
STB22NM60N 系列 N 沟道 600 V 0.22 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**MOSFET 600V 220mOhm 16A TO263 **


力源芯城:
600V,16A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK


STB22NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB22NM60N
型号: STB22NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STB22NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STB22NM60N
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