STB15NM65N

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STB15NM65N概述

N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

N-Channel 650V 12A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK


STB15NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 15.5A

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB15NM65N
型号: STB15NM65N
描述:N沟道650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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