STMICROELECTRONICS STW28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
欧时:
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N沟道 600V 21A
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MOSFET
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STMICROELECTRONICS STW28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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N-channel MDmesh >350 V to 700 V
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# STMICROELECTRONICS STW28N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 1500pF @100VVds
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17