STB4NK60ZT4

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STB4NK60ZT4概述

STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB4NK60ZT4, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK


立创商城:
N沟道 600V, 1.7Ω 4A功率MOSFETs


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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STB4NK 系列 N 沟道 600 V 2 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK


STB4NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.76 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 16.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB4NK60ZT4引脚图与封装图
STB4NK60ZT4引脚图
STB4NK60ZT4封装图
STB4NK60ZT4封装焊盘图
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型号: STB4NK60ZT4
描述:STMICROELECTRONICS  STB4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 1.76 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STB4NK60ZT4
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