STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK100Z, 3.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
STP5NK100Z
贸泽:
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP5NK100Z Power MOSFET, N Channel, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 1kV 4A 4000mOhm TO220-3 **
力源芯城:
1000V,2.7Ω,3.5A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 3.50 A
额定功率 125 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1.00 kV
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 7.7 ns
输入电容Ciss 1154pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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