STL17N65M5

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL17N65M5, 10 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装

得捷:
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STL17N65M5 power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PowerFlat T/R

富昌:
N-沟道 650 V 0.374 Ω 2.8 W 表面贴装 Mdmesh V 功率 Mosfet - PowerFLAT 8x8 HV

Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 4-Pin Power Flat T/R