STB14NK60ZT4

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STB14NK60ZT4概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; 160W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK


STB14NK60ZT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 13.5 A

通道数 1

漏源极电阻 500 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 2220 pF

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 13.5 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 2220pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB14NK60ZT4
型号: STB14NK60ZT4
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STB14NK60ZT4
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