STMICROELECTRONICS STB8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
e络盟:
STMICROELECTRONICS STB8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STB8N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device is made with mdmesh v technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 650 V 0.6 Ω 70 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.56 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 690pF @100VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99