STD10P10F6概述
-100V,-10A,180mΩ,P沟道功率MOSFET
P-Channel 100V 10A Tc 40W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
立创商城:
STD10P10F6
贸泽:
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
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Trans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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-100V,-10A,180mΩ,P沟道功率MOSFET
STD10P10F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 40 W
阈值电压 2 V
输入电容 864 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 864pF @80VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
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