N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
立创商城:
N沟道 75V 80A
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STP75NF75 系列 75 V 0.011 Ohm N沟道 STripFET™ II 功率 MosFET - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 75 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 75V 80A 11mOhm TO220-3 **
力源芯城:
75V,80A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
额定功率Max 300 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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