N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。
欧时:
### N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
立创商城:
N沟道 60V 90A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 90 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, 表面安装
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STL90N6F7 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 94000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet f7 technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin PowerFlat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 90A 4,6mOhm PFL5x6 **
针脚数 8
漏源极电阻 0.0046 Ω
耗散功率 94 W
阈值电压 4 V
输入电容 1600 pF
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 17.6 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
下降时间 7.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4.8W Ta, 94W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerSMD-8
长度 5.4 mm
宽度 6.35 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerSMD-8
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99