STP110N8F6概述
80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET
N-Channel 80V 110A Tc 200W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
立创商城:
N沟道 80V 110A
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MOSFET LGS LV MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin TO-220 Tube
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力源芯城:
80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
STP110N8F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 9130pF @40VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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