STP10NM60N

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STP10NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STP10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 650 V 0.55 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP10NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,0.53Ω,10A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220


STP10NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

输入电容 540 pF

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 540pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

STP10NM60N引脚图与封装图
STP10NM60N封装焊盘图
在线购买STP10NM60N
型号: STP10NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STP10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STP10NM60N
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