
















STMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 650 V 0.55 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP10NM60N MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,0.53Ω,10A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
针脚数 3
漏源极电阻 0.53 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3 V
输入电容 540 pF
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 540pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR

| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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