























N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
立创商城:
N沟道 500V 4.4A
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD5NK50Z 系列 N 沟道 500 V 4 A 1.5 Ohm SuperMESH Mosfet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD5NK50ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 500V 4A 1500mOhm TO252-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
额定电压DC 500 V
额定电流 4.40 A
额定功率 70 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 535pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 照明, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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