STB10NK60Z-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB10NK60Z-1概述

N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

N-Channel 600V 10A Tc 115W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Win Source:
N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

STB10NK60Z-1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

漏源极电阻 750 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1370pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB10NK60Z-1

型号： STB10NK60Z-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET

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