STB6N80K5

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STB6N80K5概述

N-Ch 800V 4.5A 1. 6mOhm SuperMESH5 Power Mosfet - D2Pak

N-Channel 800V 4.5A Tc 85W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STB6N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
N-沟道 800 V 4.5 A 1. 6 mOhm 表面贴装 SuperMESH™ K5 功率 Mosfet - D2Pak


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB6N80K5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 W

输入电容 270 pF

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 255pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB6N80K5
型号: STB6N80K5
描述:N-Ch 800V 4.5A 1. 6mOhm SuperMESH5 Power Mosfet - D2Pak
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