STD5N52U

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STD5N52U概述

STMICROELECTRONICS  STD5N52U  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 525 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V

表面贴装型 N 通道 525 V 4.4A(Tc) 70W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK


立创商城:
N沟道 525V 4.4A


贸泽:
MOSFET N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F


艾睿:
This STD5N52U power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 70000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with ultrafastmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD5N 系列 N 沟道 525 V 4.4 A 1.5 Ohm 70 W UltraFASTmesh Mosfet - TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK


STD5N52U中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.28 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 525 V

漏源击穿电压 525 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 13.6 ns

输入电容Ciss 529pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD5N52U
型号: STD5N52U
描述:STMICROELECTRONICS  STD5N52U  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 525 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STD5N52U
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