STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
N沟道 800V 5.2A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STP7NK 系列 N-沟道 800 V 1.5 Ohm 5.2 A 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP Power MOSFET, N Channel, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 5A 1800mOhm TO220FP **
力源芯城:
800V,1.5Ω,5.2A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
额定功率 30 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1138pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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