STP7NK80ZFP

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STP7NK80ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP7NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 800V 5.2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STP7NK 系列 N-沟道 800 V 1.5 Ohm 5.2 A 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 30W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP7NK80ZFP  Power MOSFET, N Channel, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 5A 1800mOhm TO220FP **


力源芯城:
800V,1.5Ω,5.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP


STP7NK80ZFP中文资料参数规格
技术参数

额定功率 30 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1138pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP7NK80ZFP引脚图与封装图
STP7NK80ZFP引脚图
STP7NK80ZFP封装图
STP7NK80ZFP封装焊盘图
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型号: STP7NK80ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP7NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP7NK80ZFP
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