
















STMICROELECTRONICS STD65N55F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STD65N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET STripFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 55 V 8.5 mOhm Surface Mount STripFET Power MosFet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD65N55F3 MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
55V,80A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 2200 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 56.0 A, 80.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 11.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD65N55F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFR1018EPBF 英飞凌 | 功能相似 | STD65N55F3和IRFR1018EPBF的区别 |
IRFR1018ETRPBF 英飞凌 | 功能相似 | STD65N55F3和IRFR1018ETRPBF的区别 |