STD65N55F3

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STD65N55F3概述

STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STD65N55F3, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET STripFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 55 V 8.5 mOhm Surface Mount STripFET Power MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
55V,80A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK


STD65N55F3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

输入电容 2200 pF

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

连续漏极电流Ids 56.0 A, 80.0 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD65N55F3
型号: STD65N55F3
描述:STMICROELECTRONICS  STD65N55F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V
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